【od体育app】EDXRF荧光光谱仪器的探测器有哪些?

作者:od体育app下载发布时间:2021-12-14 00:23

本文摘要:EDXRF荧光光谱仪器的探测器有哪些? EDXRF荧光光谱仪的探测器大部门是半导体探测器,高能量辨别率、宽线性规模、快响应时间、高不变性和长命命等特点使其在能量探测范畴占据了绝对的主导职位。成长至今,半导体探测器的类型主要有Si(Li)探测器Ge(Li)探测器、高纯Ge( HPGe)探测器、温差电制冷Si -PIN探测器、Si 漂移( SDD)探测器、Cd(Zn)Te探测器、超导地道结探测器(STJ)、超导跃变微热量感到器(TES )等。

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EDXRF荧光光谱仪器的探测器有哪些? EDXRF荧光光谱仪的探测器大部门是半导体探测器,高能量辨别率、宽线性规模、快响应时间、高不变性和长命命等特点使其在能量探测范畴占据了绝对的主导职位。成长至今,半导体探测器的类型主要有Si(Li)探测器Ge(Li)探测器、高纯Ge( HPGe)探测器、温差电制冷Si -PIN探测器、Si 漂移( SDD)探测器、Cd(Zn)Te探测器、超导地道结探测器(STJ)、超导跃变微热量感到器(TES )等。VIAMP-SDD探测器2 通例Si(Li)探测器和Ge(Li)探测器呈现最早,事情前必需用液氮制冷,因而限制了其使用规模,凡是用于1 ~40 keV低能量规模内的射线探测;温差电制冷型Si(Li)探测器需致冷至-90 °C ,能量辨别率可达158 eV@ Mn- Ka,但其对计数率的线性影响规模较小。

高纯Ge探测器可以或许蒙受必然水平的温升,因此多已代替温升后会损坏的Ge(Li)探测器,常用于40keV以上能量的X射线探测。温差电制冷Si-PIN探测器不存在Li漂移问题,只需用温差电制冷器冷却到- 20°C ,能量辨别率达145 eV@5.9 keV ,最大计数率低于30 keps,适合探测1.5~30keV的X射线。

SDD探测器基于侧向耗尽道理,于1983年被E.Gatti和P.Rehak提出,比拟于Si(Li)探测器和Si- PIN探测器,SDD探测器的阳极面努力小且电子漂移时间与位置相关,因此最佳成型时间更短计数率更高,凡是大于10* keps ;比拟于Si(Li)探测器和Ge探测器,它只需要帕尔贴元件举行制冷(制冷温差达50~120 C),凡是事情在-60~ -20C,特殊环境下甚至可事情在室温,颠末不停完善,其能量辨别率可达143 eV@5.9 keV,在很多环境下代替了Si(Li)探测器,成为测定中低能量X射线的首选Cd( Zzn)Te探测器接纳高原子序数和高密度的化合物,体积小、本征探测效率高,在140 keV的γ射线下接纳含10%Zn的15 nm的CdZuTe探测器,探测效率可靠近100%,可以接纳电致冷方式在室温下事情,今朝CdTe和CdZrTe探测器的能量辨别率别离可达3%@59.5 keV( T=10 C)、1.4% @59.5 keV(T=-37 C),适合探测10~ 500keV宽能量规模的高能光子10。创想edx-6000荧光光谱仪 STJ 探测器的辨别率极高,100个STJ像素阵列( 100 x 100μun2 )的平均辨别率可达14 eV@ ( - K (525eV),理论检出限低于1 eV",计数率可达80kcps,但需事情在500 mK或更低的温度下。TES探测器凡是有一个无能隙接收装置,操纵接收X射线后引起超导薄膜温度及电阻下降进而引起电流变化来对光子举行计数,能量辨别率更高,日前可达2 eV@1.5 keV,3.9 eV@5.9 keV T121 ,远凌驾上述用于EDXRF的半导体探测器,并有望达0.5~1 eV,但恢复时间很长{约是STJ探测器恢复时间的1000倍),因此牺牲了计数率(约500 cps),且需事情在更低温度下(约70 mK)。EDXRF台式荧光光谱仪的探测器有上述这几种。

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